Development of evaluation method of crystallinity in poly-crystallized silicon thin film for bottom gate type TFT by surface photo-voltage

• Project/Area Number: 23560372
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Research Field: Electronic materials/Electric materials
• Research Institution: Nihon University
• Principal Investigator: IKEDA Masanori 日本大学, 工学部, 教授 (10222902)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): SHIMIZU Hirofumi 日本大学, 工学部, 教授 (10318371)
• Project Period (FY): 2011 – 2013
• Project Status: Completed (Fiscal Year 2013)
• Budget Amount: ¥5,330,000 (Direct Cost: ¥4,100,000、Indirect Cost: ¥1,230,000); Fiscal Year 2013: ¥650,000 (Direct Cost: ¥500,000、Indirect Cost: ¥150,000); Fiscal Year 2012: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000); Fiscal Year 2011: ¥2,990,000 (Direct Cost: ¥2,300,000、Indirect Cost: ¥690,000)
• Keywords: 表面光電圧 / 多結晶シリコン薄膜 / 薄膜トランジスタ / 結晶性評価 / 多結晶Si薄膜 / TFT

Research Abstract

Evaluation method of crystallinity in poly-crystallized silicon thin film was investigated by alternative surface photo-voltage (AC SPV). Sensitive AC SPV measurement was achieved by the change of light source for carrier excitation from light-emitting diode (LED) to laser diode (LD). The ratio of AC SPV to radius of grain in poly-silicon thin film crystallized by excimer laser annealing was estimated about 1 mV/nm. Furthermore, it was shown that there is a problem of the saturation in AC SPV with high power light irradiation.

Research Products

• [Journal Article] 表面光電圧を用いた新しい多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価法 (2012)
  • Author(s): 池田正則、清水博文、高松弘行、迫田尚和
  • Journal Title: 電子情報通信学会論文誌C Volume: J95-C Pages: 41-42
  • NAID: 110009327414
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Au水溶液浸漬によるAu/n-Si(100)ショットキー障壁の形成 (2012)
  • Author(s): 池田正則, 清水博文
  • Journal Title: 表面科学 Volume: 33 Pages: 135-140
  • NAID: 10030443347
• [Journal Article] Alternating Current Surface Photovoltage in Thermally Oxidized Cr-Contaminated n-Type Silicon Wafers (2011)
  • Author(s): H. Shimizu, S. Nagase, and M. Ikeda
  • Journal Title: Applied Physics A Volume: 104 Pages: 929-934
  • Peer Reviewed
• [Presentation] 表面光電圧法による熱処理したアモルファスSi薄膜の結晶性評価 (2013)
  • Author(s): 葛生一馬, 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
  • Organizer: 日本表面科学会第33回表面科学学術講演会
  • Place of Presentation: つくば国際会議場(27P76)
  • Year and Date: 2013-11-27
• [Presentation] 表面光電圧法による熱処理したa-Si薄膜の結晶性評価 (2013)
  • Author(s): 葛生一馬, 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
  • Organizer: 平成25年度電気関係学会東北支部連合大会
  • Place of Presentation: 会津大学(1C09)
  • Year and Date: 2013-08-22
• [Presentation] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価 (2013)
  • Author(s): 葛生一馬, 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
  • Organizer: 平成24年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会
  • Place of Presentation: 日本大学工学部
  • Year and Date: 2013-03-12
• [Presentation] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価 (2012)
  • Author(s): 葛生一馬, 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
  • Organizer: 平成24年度電気関係学会東北支部連合大会
  • Place of Presentation: 秋田県立大学本荘キャンパス(2H15)
  • Year and Date: 2012-08-31
• [Presentation] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価 (2012)
  • Author(s): 葛生一馬, 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
  • Organizer: 福島県ハイテクプラザ研究成果発表会
  • Place of Presentation: 福島県ハイテクプラザ
  • Year and Date: 2012-07-24
• [Presentation] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価 (2012)
  • Author(s): 葛生一馬, 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
  • Organizer: Cat-CVD研究会第9回研究集会
  • Place of Presentation: 日本大学生産工学部(P-04)
  • Year and Date: 2012-06-23
• [Presentation] 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価 (2012)
  • Author(s): 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
  • Organizer: 平成23年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会
  • Place of Presentation: 東北大学多元研(P-16)
  • Year and Date: 2012-03-09
• [Presentation] 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価 (2012)
  • Author(s): 池田正則，清水博文，高松弘行，迫田尚和
  • Organizer: 平成23年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会
  • Place of Presentation: 東北大学
• [Presentation] 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価 (2011)
  • Author(s): 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
  • Organizer: 平成23年度電気関係学会東北支部
  • Place of Presentation: 東北学院大学(2H12)
  • Year and Date: 2011-08-26
• [Presentation] 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価 (2011)
  • Author(s): 池田正則，清水博文，高松弘行，迫田尚和
  • Organizer: 平成23年度電気関係学会東北支部連合大会
  • Place of Presentation: 東北学院大学
• [Presentation] 表面光電圧法による熱処理したa-Si薄膜の結晶性評価
  • Author(s): 葛生一馬，池田正則，清水博文，高松弘行，迫田尚和
  • Organizer: 平成25年度電気関係学会東北支部連合大会
  • Place of Presentation: 会津大学
• [Presentation] 表面光電圧法による熱処理したアモルファスSi薄膜の結晶性評価
  • Author(s): 葛生一馬，池田正則，清水博文，高松弘行，迫田尚和
  • Organizer: 日本表面科学会第33回表面科学学術講演会
  • Place of Presentation: つくば国際会議場
• [Presentation] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
  • Author(s): 葛生一馬，池田正則，清水博文，高松弘行，迫田尚和
  • Organizer: Cat-CVD研究会第9回研究集会
  • Place of Presentation: 日本大学生産工学部
• [Presentation] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
  • Author(s): 葛生一馬，池田正則，清水博文，高松弘行，迫田尚和
  • Organizer: 福島県ハイテクプラザ研究成果発表会
  • Place of Presentation: 福島県ハイテクプラザ
• [Presentation] ω-SPV法によるSiウェーハの少数キャリア寿命評価
  • Author(s): 板野純希，清水博文，池田正則
  • Organizer: 平成24年度電気関係学会東北支部連合大会
  • Place of Presentation: 秋田県立大学本荘キャンパス
• [Presentation] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
  • Author(s): 葛生一馬，池田正則，清水博文，高松弘行，迫田尚和
  • Organizer: 平成24年度電気関係学会東北支部連合大会
  • Place of Presentation: 秋田県立大学本荘キャンパス
• [Presentation] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
  • Author(s): 葛生一馬，池田正則，清水博文，高松弘行，迫田尚和
  • Organizer: 平成24年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会
  • Place of Presentation: 日本大学工学部