Analysis of promoted oxidation reaction just below ultrathin films of transition metals grown on Si surfaces

• Project/Area Number: 23760027
• Research Category: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Research Field: Thin film/Surface and interfacial physical properties
• Research Institution: Yokohama National University
• Principal Investigator: OHNO Shinya 横浜国立大学, 工学研究院, 特別研究教員 (00377095)
• Project Period (FY): 2011 – 2012
• Project Status: Completed (Fiscal Year 2012)
• Budget Amount: ¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000); Fiscal Year 2012: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000); Fiscal Year 2011: ¥3,510,000 (Direct Cost: ¥2,700,000、Indirect Cost: ¥810,000)
• Keywords: シリコン / 光電子分光 / 酸化反応 / 遷移金属 / 酸素

Research Abstract

We found that promoted oxidation reaction occurs on titanium-covered silicon surfaces by oxygen exposure at room temperature. We investigated thickness and composition of the oxide layer in order to clarify this process. In the case of evaluation of the oxide thickness by photoelectron spectroscopy, it is desirable to use photon energies with large mean free path. We found that cautious analysis should be performed in order to evaluate the oxide composition. This viewpoint was obtained based on the analysis of titanium adsorption on oxidized silicon surfaces.

Research Products

• [Presentation] 田中正俊シリコン酸化状態へのチタン吸着効果の解析 (2012)
  • Author(s): 大野真也 ,安部壮祐,高橋和敏,鎌田雅夫
  • Organizer: 真空に関する連合講演会
  • Place of Presentation: 甲南大学ポートアイランドキャンパス
• [Presentation] 田中正俊Ti 吸着による Si(001)表面酸化促進反応の解析 (2012)
  • Author(s): 大野真也 ,安部壮祐,高橋和敏,鎌田雅夫
  • Organizer: 第73回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 愛媛大学城北地区/松山大学文京キャンパス
• [Presentation] 田中正俊Ti 吸着による酸化Si(001)表面電子状態変化の解析 (2012)
  • Author(s): 大野真也 ,安部壮祐,高橋和敏,鎌田雅夫
  • Organizer: ナノ学会第10回大会
  • Place of Presentation: 大阪大学大阪大学会館
• [Presentation] Ti吸着による酸化Si(001)表面電子状態変化の解析 (2012)
  • Author(s): 大野真也
  • Organizer: ナノ学会第10回大会
  • Place of Presentation: 大阪大学
• [Presentation] Ti吸着によるSi(001)表面酸化促進反応の解析 (2012)
  • Author(s): 大野真也
  • Organizer: 第73回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 松山大学
• [Presentation] シリコン酸化状態へのチタン吸着効果の解析 (2012)
  • Author(s): 大野真也
  • Organizer: 第53回真空に関する連合講演会
  • Place of Presentation: 甲南大学
• [Presentation] Si高指数面酸化過程のリアルタイム光電子分光による評価 (2011)
  • Author(s): 大野真也
  • Organizer: シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
  • Place of Presentation: 名古屋大学
• [Presentation] 超音速分子線を用いたSi高指数面初期酸化過程の解析 (2011)
  • Author(s): 大野真也
  • Organizer: 応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 山形大学
• [Presentation] Electronic structure of iron silicides grown on Si(001) surfaces by solid phase epitaxy (2011)
  • Author(s): 大野真也
  • Organizer: International Symposium on Surface Science (ISSS-6)
  • Place of Presentation: Tower Hall Funabori, Funabori, Tokyo
• [Presentation] 超音速分子線を用いたSi高指数面初期酸化過程の解析II (2011)
  • Author(s): 大野真也
  • Organizer: 応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 早稲田大学
• [Presentation] Si高指数面熱酸化過程における温度依存性の解析 (2011)
  • Author(s): 安部壮祐
  • Organizer: 応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 早稲田大学