Research Project
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
半導体製造で活用される原子層堆積法において、申請者はプラズマ励起加湿アルゴンによるOHラジカル励起法を発案し、堆積温度の室温化に世界に先駆けて成功してきた。本研究では、同法を深化させ、アトムレベルで濃度と膜厚が制御された複合酸化膜の超格子製造技術の獲得を狙う。そのためにOHラジカル処理された金属酸化膜表面で、精密に被覆率制御された複合分子吸着表面をつくる技術の獲得と、ラジカル照射下での再配列の促進、結晶化のための表面励起技術の開発を行う。また応用として、アナタースTiO2/TiON超格子による可視光触媒に挑戦する。プラズマ励起によって、アトムプログラミングデポジッションの実現に挑戦する。