融合型電子材料ナノワイヤのマクロスケール機能開拓

• Project/Area Number: 23H00250
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 28:Nano/micro science and related fields
• Research Institution: Hokkaido University
• Principal Investigator: 石川 史太郎 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 教授 (60456994)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 村山 明宏 北海道大学, 情報科学研究院, 教授 (00333906) ; 長島 一樹 北海道大学, 電子科学研究所, 教授 (10585988)
• Project Period (FY): 2023-04-01 – 2027-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥47,190,000 (Direct Cost: ¥36,300,000、Indirect Cost: ¥10,890,000); Fiscal Year 2024: ¥10,140,000 (Direct Cost: ¥7,800,000、Indirect Cost: ¥2,340,000); Fiscal Year 2023: ¥16,900,000 (Direct Cost: ¥13,000,000、Indirect Cost: ¥3,900,000)
• Keywords: ナノワイヤ / 半導体 / 通信帯光源 / 量子機能 / 大出力

Outline of Research at the Start

高度に半導体と酸化物を融合させた電子材料ナノワイヤの大容量化とその機能開拓を行う。そのなかで、独自の材料提案から①シリコンテクノロジーとの融合、②大出力化、③新量子機能発現により電子材料のナノ-マクロを繋ぐ学術基盤を構築する。具体的には、Siウエファ上に大面積・均質・高品質なIII-V族半導体ナノワイヤを積層することでシリコンテクノロジーと融合可能な大出力光電変換を実現する。さらに、半導体ナノワイヤと酸化物を融合させた材料開拓、光・電子・スピン機能開拓からナノワイヤの未踏機能を探求する。これらをとおして、ナノエレクトロニクス有効領域を生活空間で認識可能なマクロスケールに拡大する。