Project/Area Number |
23H00269
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Review Section |
Medium-sized Section 29:Applied condensed matter physics and related fields
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Research Institution | National Institute for Materials Science |
Principal Investigator |
若山 裕 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, グループリーダー (00354332)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
山田 洋一 筑波大学, 数理物質系, 准教授 (20435598)
福本 恵紀 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 物質構造科学研究所, 特任准教授 (20443559)
石黒 康志 防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工学群), システム工学群, 講師 (20833114)
相見 順子 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 高分子・バイオ材料研究センター, 主任研究員 (80579821)
早川 竜馬 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 主幹研究員 (90469768)
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Project Period (FY) |
2023-04-01 – 2028-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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Budget Amount *help |
¥47,320,000 (Direct Cost: ¥36,400,000、Indirect Cost: ¥10,920,000)
Fiscal Year 2024: ¥7,800,000 (Direct Cost: ¥6,000,000、Indirect Cost: ¥1,800,000)
Fiscal Year 2023: ¥16,120,000 (Direct Cost: ¥12,400,000、Indirect Cost: ¥3,720,000)
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Keywords | 有機トランジスタ / 多値演算 / ヘテロ界面 / 演算素子 |
Outline of Research at the Start |
有機エレクトロニクスの分野では素子の高集積化への取り組みが活発化しているものの、既存の微細加工技術が適用できないという課題が残る。そこで従来とは異なる新しい演算機構が不可欠である。そこで素子の動作原理を根本から見直し、革新的な演算機構を確立して集積化の壁を乗り越えることが本研究の目的である。そのため独自開発したヘテロ界面トランジスタを中心にした素子を設計し、ひとつの素子で演算とメモリの2つの機能を動作させ、かつ両方の機能を同時に多値化した素子動作を実証する。まず伝導メカニズムを解明して素子の設計指針を一般化させ、次に特異的な電流特性を利用して演算機構へと発展させる。
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