In situ three-dimensional measurement of wide bandgap semiconductors with stimulated Raman scattering

• Project/Area Number: 23H00271
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 30:Applied physics and engineering and related fields
• Research Institution: The University of Tokyo
• Principal Investigator: 小関 泰之 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (60437374)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 前田 拓也 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 講師 (20965694)
• Project Period (FY): 2023-04-01 – 2027-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥37,310,000 (Direct Cost: ¥28,700,000、Indirect Cost: ¥8,610,000); Fiscal Year 2024: ¥9,100,000 (Direct Cost: ¥7,000,000、Indirect Cost: ¥2,100,000); Fiscal Year 2023: ¥10,010,000 (Direct Cost: ¥7,700,000、Indirect Cost: ¥2,310,000)
• Keywords: 誘導ラマン散乱 / ワイドギャップ半導体 / 顕微鏡

Outline of Research at the Start

本研究では、ワイドギャップ半導体の不完全性の振る舞いを解明するための3次元イメージング技術を開発する。具体的には、申請者が開発した誘導ラマン散乱顕微鏡に、独自のパルスレーザ光源を適用することで、半導体計測に最適化し、ワイドギャップ半導体内の欠陥とキャリア密度の3次元イメージングを実現する。これにより、ワイドギャップ半導体デバイスの高性能化、信頼性向上、長寿命化に寄与する知見を得る。