Project/Area Number |
23H01450
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
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Research Institution | Kyushu Institute of Technology |
Principal Investigator |
寺井 慶和 九州工業大学, 大学院情報工学研究院, 教授 (90360049)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
新海 聡子 九州工業大学, 大学院情報工学研究院, 准教授 (90374785)
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Project Period (FY) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2023)
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Budget Amount *help |
¥18,460,000 (Direct Cost: ¥14,200,000、Indirect Cost: ¥4,260,000)
Fiscal Year 2023: ¥7,800,000 (Direct Cost: ¥6,000,000、Indirect Cost: ¥1,800,000)
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Keywords | シリサイド半導体 / シリコン光エレクトロニクス / バンド構造制御 |
Outline of Research at the Start |
シリコン(Si)にはない優れた光学機能を示す鉄シリサイド半導体(β-FeSi2)は、既存のSiデバイスとの融合により、Society 5.0社会の基盤となる情報通信、セキュリティー、自動運転モビリティ等への応用が期待される物質である。本研究では、Fe、Siの選択的同族元素置換によりβ-FeSi2のバンド構造と状態密度をダイナミックに変化させ、電子構造の精密制御と光学機能の向上を図ることを目的とする。本研究により、シリサイド半導体の課題が解決され、現存のシリコンテクノロジーへの新たな光機能追加や、Si系光機能デバイスの新展開が拓ける。
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