Project/Area Number |
23H01456
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
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Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
Principal Investigator |
山田 貴壽 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 材料・化学領域, 研究チーム長 (30306500)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
小川 修一 日本大学, 生産工学部, 准教授 (00579203)
増澤 智昭 静岡大学, 電子工学研究所, 講師 (40570289)
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Project Period (FY) |
2023-04-01 – 2027-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2023)
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Budget Amount *help |
¥18,200,000 (Direct Cost: ¥14,000,000、Indirect Cost: ¥4,200,000)
Fiscal Year 2023: ¥4,940,000 (Direct Cost: ¥3,800,000、Indirect Cost: ¥1,140,000)
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Keywords | 六方晶窒化ホウ素 / ドーピング / ベータボルタ電池 |
Outline of Research at the Start |
ベータボルタ電池は太陽電池と同様の構造の放射線電池であり、最大のバンドギャップを有するh-BNは、ベータボルタ電池用材料の最有力候補だが、p型・n型導電性制御が開発されていなくベータボルタ電池に限らず電子・光デバイスが実現されていない。本研究では、世界に先駆けて開発したK添加h-BNの物性やバンド構造を解明し、二次元ナノ材料の特徴を活かした積層による原子数層の擬似pn接合及び発電実証に取組む。二次元ナノ材料唯一のワイドギャップ半導体であるh-BNのドーピングによる物性制御は新学術分野を開拓し、さらに交換不要な電池の開発はIoT、6Gを通した安心・安全社会構築に大きく貢献できる。
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