Project/Area Number |
23H01460
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
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Research Institution | Tohoku University |
Principal Investigator |
日暮 栄治 東北大学, 工学研究科, 教授 (60372405)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
竹内 魁 東北大学, 工学研究科, 助教 (20896716)
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Project Period (FY) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2023)
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Budget Amount *help |
¥18,720,000 (Direct Cost: ¥14,400,000、Indirect Cost: ¥4,320,000)
Fiscal Year 2023: ¥7,540,000 (Direct Cost: ¥5,800,000、Indirect Cost: ¥1,740,000)
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Keywords | 常温接合 / 接合界面制御 |
Outline of Research at the Start |
本研究では、表面・接合界面をナノメートルレベルで制御するための新しい視点として、①平滑な表面に形成した活性な薄膜の剥離・転写を利用した粗い接合面の平滑化、②金属薄膜を保護し、表面粗さを抑制するナノキャップ層の形成、③CMOSプロセスと整合性の高い遷移金属とSi半導体の組み合わせにおける低温固相反応に基づくナノ反応層の形成に着目し、ナノメートルスケール界面(ナノ界面)における微細構造、電気的・機械的特性の解明とこれらを積極的に活用した新規常温接合技術の創出に挑む。
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