Project/Area Number |
23H01474
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
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Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
Principal Investigator |
張 文馨 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究員 (30796834)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
齊藤 雄太 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (50738052)
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Project Period (FY) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2023)
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Budget Amount *help |
¥18,850,000 (Direct Cost: ¥14,500,000、Indirect Cost: ¥4,350,000)
Fiscal Year 2023: ¥8,320,000 (Direct Cost: ¥6,400,000、Indirect Cost: ¥1,920,000)
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Keywords | Ge / Sb2Te3 / Bi2Te3 / vdW接合 / GeOI (111) |
Outline of Research at the Start |
本研究では、高度な選択エッチング技術、転写技術及びvan der Waals(vdW)コンタクト形成技術を駆使し、極薄Ge(111)ナノシートチャネルトランジスタの超高性能化の設計指針を提案する。原子レベルで精密制御されたGeナノシート構造の電子・ホール輸送の学術的理解と、ナノシートへのTe系層状物質/Ge(111) vdWコンタクトの系統的探索を追求することで、Ge(111)ナノシートの包括的なキャリア輸送機構を明らかにし、次世代ナノシートCMOS性能の向上に貢献することを目的とする。
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