Research Project
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
外部電圧の印加により電気抵抗値が不揮発的に変化する酸化物系のメモリスタ材料に着目し、そのメカニズムとなる点欠陥(ドーパント)の流動と凝縮の微視的過程を電子顕微鏡その場観察と理論計算を連携した解析により解明する。得られた点欠陥挙動に関する微視的知見にもとづき、導電領域の核生成・成長モードをナノレベルで制御した塑性機能電子デバイス(不揮発性メモリ、人工シナプス素子)を創出する。