Project/Area Number |
23H01861
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 29030:Applied condensed matter physics-related
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Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
Principal Investigator |
岡崎 雄馬 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 計量標準総合センター, 主任研究員 (60738277)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
吉見 龍太郎 国立研究開発法人理化学研究所, 創発物性科学研究センター, 研究員 (40780143)
川村 稔 国立研究開発法人理化学研究所, 創発物性科学研究センター, 専任研究員 (60391926)
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Project Period (FY) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2023)
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Budget Amount *help |
¥19,370,000 (Direct Cost: ¥14,900,000、Indirect Cost: ¥4,470,000)
Fiscal Year 2023: ¥14,300,000 (Direct Cost: ¥11,000,000、Indirect Cost: ¥3,300,000)
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Keywords | 量子抵抗標準 |
Outline of Research at the Start |
近年、磁性トポロジカル絶縁体薄膜において、ゼロ磁場でホール抵抗が量子化される現象「量子異常ホール効果」が発見された。この現象では、量子化抵抗の観測に強磁場が不要であることから、これまで抵抗標準として利用されてきた強磁場下の現象「量子ホール効果」を置き換える可能性に注目が集まっている。しかし抵抗標準への応用には、臨界電流や動作温度の向上、ならびに量子化抵抗の普遍性の検証といった基礎研究が必要である。本研究では、磁性トポロジカル絶縁体薄膜の成膜条件や膜構造・素子構造を最適化し臨界電流・動作温度を改善し、高精度抵抗測定に基づく量子化抵抗の普遍性検証を行う。
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