Project/Area Number |
23H01863
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 30010:Crystal engineering-related
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Research Institution | University of Tsukuba |
Principal Investigator |
奥村 宏典 筑波大学, 数理物質系, 助教 (80756750)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
堀田 昌宏 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (50549988)
井村 将隆 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主幹研究員 (80465971)
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Project Period (FY) |
2023-04-01 – 2027-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2023)
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Budget Amount *help |
¥18,590,000 (Direct Cost: ¥14,300,000、Indirect Cost: ¥4,290,000)
Fiscal Year 2023: ¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000)
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Keywords | AlN / 縦型素子 / パワーデバイス / 窒化物半導体 / 高温デバイス |
Outline of Research at the Start |
低炭素社会に向けて、低損失かつ高出力素子普及の社会的要請が高まっている。AlNを用いたトランジスタの世界初動作に成功している。AlNは絶縁破壊電界強度(Ec)が最も大きい半導体であり、高耐圧AlN素子の作製は、半導体素子の性能限界への探求に繋がる。しかし、報告されているAlN素子は横型構造に限られており、AlN本来の性能が発揮できていない。本研究では、縦型AlN素子の動作実現に向けた作製技術を確立する。独自の手法としてAlN結晶の性質に着目し、接合バリアショットキー(JBS)およびPiN構造を採用する。つくばエリアの共用設備環境を最大限に活用して、耐圧10 kV以上の特性を持つ素子実現を目指す。
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