Project/Area Number |
23H01865
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 30010:Crystal engineering-related
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Research Institution | The University of Tokyo |
Principal Investigator |
深津 晋 東京大学, 大学院総合文化研究科, 教授 (60199164)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
前田 辰郎 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究主幹 (40357984)
神野 莉衣奈 東京大学, 大学院総合文化研究科, 助教 (50915022)
安武 裕輔 東京大学, 大学院総合文化研究科, 技術専門職員 (10526726)
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Project Period (FY) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2023)
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Budget Amount *help |
¥19,110,000 (Direct Cost: ¥14,700,000、Indirect Cost: ¥4,410,000)
Fiscal Year 2023: ¥10,660,000 (Direct Cost: ¥8,200,000、Indirect Cost: ¥2,460,000)
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Keywords | Geナノシート / 音響フォノン / 量子協奏 / Γ点バレー占有 / ユニポーラーレーザー |
Outline of Research at the Start |
Ⅳ族半導体の超薄膜はナノシートとも呼ばれ、形態の特異性を反映した輸送特性からポストシリコンの呼び声も高い。一方、Geナノシートの環境は、それ自体クリーンな量子閉じ込め系である。欠陥・不純物から解放され、間接遷移を忘れさせるGeナノシートの抜きん出た光学活性は、構造制御の後ろ盾を得てバンドエンジニアリングにより進化が加速。本研究ではGeナノシートにおけるバレー間散乱を利用して長年渇望されてきたIV族半導体レーザーの実現に挑む。電子と音響フォノンの量子協奏がもたらす非平衡ダイナミクスと電荷輸送の高度化を促し、電子移動度の増強そのものが光との協奏で光発生機能強化に直結する戦略の下「一挙両得」を狙う。
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