Project/Area Number |
23H02052
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 36010:Inorganic compounds and inorganic materials chemistry-related
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Research Institution | National Institute for Materials Science |
Principal Investigator |
谷口 尚 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, センター長 (80354413)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
増山 雄太 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所 量子機能創製研究センター, 主任研究員 (00814790)
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Project Period (FY) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2023)
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Budget Amount *help |
¥19,110,000 (Direct Cost: ¥14,700,000、Indirect Cost: ¥4,410,000)
Fiscal Year 2023: ¥11,180,000 (Direct Cost: ¥8,600,000、Indirect Cost: ¥2,580,000)
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Keywords | 立方晶窒化ホウ素 / 六方晶窒化ホウ素 / カラーセンター / 量子機能探索 |
Outline of Research at the Start |
窒化ホウ素(BN)は炭素と類似の結晶構造を有し、黒鉛型の六方晶(hBN)とダイヤモンド 型の立方晶(cBN)が、それぞれ耐熱材料、硬質材料等として産業応用されている。研究代表者らは両者(hBN及びcBN)の良質単結晶の合成研究により、ワイドギャップ半導体としてのhBN単結晶の特性(高輝度遠紫外線発光、2次元系光・電子デバイス用基板)と、cBN単結晶の基礎物性などを明らかにしてきた。本研究の目的は、高純度BN単結晶への欠陥形成による新たな機能発現として、hBN 及びcBN単結晶による量子センシング等の基礎となる単一光子機能、スピン欠陥等の開拓・制御手法を確立することである。
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