Project/Area Number |
23H05463
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Review Section |
Broad Section D
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Research Institution | NTT Basic Research Laboratories |
Principal Investigator |
山口 浩司 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, フロンティア機能物性研究部, フェロー (60374071)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
林 将光 東京大学, 大学院理学系研究科(理学部), 准教授 (70517854)
畑中 大樹 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, フロンティア機能物性研究部, 主任研究員 (60601771)
黒子 めぐみ 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, フロンティア機能物性研究部, 研究員 (90898587)
岡本 創 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, フロンティア機能物性研究部, 特別研究員 (20350465)
谷保 芳孝 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 多元マテリアル創造科学研究部, 上席特別研究員 (20393738)
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Project Period (FY) |
2023-04-12 – 2028-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2023)
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Budget Amount *help |
¥205,530,000 (Direct Cost: ¥158,100,000、Indirect Cost: ¥47,430,000)
Fiscal Year 2024: ¥94,250,000 (Direct Cost: ¥72,500,000、Indirect Cost: ¥21,750,000)
Fiscal Year 2023: ¥68,640,000 (Direct Cost: ¥52,800,000、Indirect Cost: ¥15,840,000)
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Keywords | マグノフォノニクス / ナノメカニクス / スピントロニクス / ナノテクノロジー |
Outline of Research at the Start |
本研究では、次世代の不揮発性メモリーとして実用化が進んでいる強磁性体とフォノニック共振器との結合動作を実現し、強磁性体に特徴的な物性を活用した新しいフォノニックデバイス技術を実現する。具体的には、磁性体ならびに共振器構造を最適化し、応用上最も重要な要素技術である「磁化状態による共振制御」ならびに「フォノニック信号による磁化状態制御」の二点に注視し、その実現と多機能化を目指す。また高速動作に向けて、人工反強磁性材料や窒化物半導体薄膜によるバルク共振器、オプトメカニクスによるセンシングなどを用い、ミリ波帯という高い周波数帯においても動作可能なオンチップ超高速マグノフォノニック技術の確立を目指す。
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