Plasma annealing for defect passivation in semiconductor materials

Research Project

Project/Area Number	23K03374
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 14030:Applied plasma science-related
Research Institution	National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Principal Investigator	布村正太国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 上級主任研究員 (50415725)
Project Period (FY)	2023-04-01 – 2026-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2023)
Budget Amount *help	¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000) Fiscal Year 2025: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000) Fiscal Year 2024: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000) Fiscal Year 2023: ¥2,210,000 (Direct Cost: ¥1,700,000、Indirect Cost: ¥510,000)
Keywords	欠陥修復 / 低欠陥プロセス / 先端半導体 / 太陽電池 / イメージセンサー
Outline of Research at the Start	プラズマアニールのメカニズムを解明し、熱アニールでは実現不可能な新しい非平衡アニール法を開拓する。具体的には、次の３テーマに関する研究を進める。１．イオンによる材料の表面加熱と構造緩和の観測と制御、２．ラジカルと欠陥の反応解明と制御、３．イオン・ラジカル同時照射による欠陥不活性化機構の解明。材料内のエネルギーと粒子輸送、並びに、反応の素過程を考察する。