光半導体と画像処理を用いた赤外線レーザのビームプロファイル高精度計測技術の開発

Research Project

Project/Area Number	23K03878
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 21030:Measurement engineering-related
Research Institution	National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Principal Investigator	沼田孝之国立研究開発法人産業技術総合研究所, 計量標準総合センター, 主任研究員 (60420288)
Project Period (FY)	2023-04-01 – 2026-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2023)
Budget Amount *help	¥4,420,000 (Direct Cost: ¥3,400,000、Indirect Cost: ¥1,020,000) Fiscal Year 2025: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000) Fiscal Year 2024: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000) Fiscal Year 2023: ¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000)
Keywords	赤外線 / レーザー / ビームプロファイル / 画像処理 / 半導体
Outline of Research at the Start	可視光用半導体イメージセンサと画像処理技術を組み合わせ、中赤外線レーザのビームプロファイルを高精度に計測する技術を開発する。半導体イメージセンサに中赤外線レーザを照射すると、レーザスポットの温度分布に応じた熱励起電子の分布画像が得られる。この画像は熱拡散によるボケを伴うためビーム形状を精度よく評価するにはこれを取り除く必要がある。そこで本研究では熱励起電子の分布画像に、実験的に導出した点像分布関数による逆畳み込み演算を施す。これにより画像のボケを除去し、入射した中赤外線レーザのビーム形状を高精度に計測する技術を開発する。