レーザー・テラヘルツ波計測による強誘電体薄膜界面半導体の表面ポテンシャル分布決定

Research Project

Project/Area Number	23K03954
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
Research Institution	Shinshu University
Principal Investigator	高野恵介信州大学, 学術研究院理学系, 助教 (70583102)
Project Period (FY)	2023-04-01 – 2026-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2023)
Budget Amount *help	¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000) Fiscal Year 2025: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000) Fiscal Year 2024: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000) Fiscal Year 2023: ¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000)
Keywords	強誘電体 / 半導体 / テラヘルツ / レーザー
Outline of Research at the Start	酸化ハフニウムの極薄膜で強誘電性が発現することが発見されて以降、省エネ、大容量で高速動作が可能な、これまでにない強誘電体メモリデバイスの実現に向けた研究開発が盛んに行われている。本研究で、超短パルスレーザー励起で生じるテラヘルツ波パルス測定による半導体表面ポテンシャル分布取得から、電極形成が不要で、非破壊、非接触に大面積適用可能な強誘電体デバイス評価が可能であることを実証する。