集積回路技術を適用した窒化物半導体ヘテロ構造のモノリシック集積回路

Research Project

Project/Area Number	23K03956
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
Research Institution	Toyohashi University of Technology
Principal Investigator	岡田浩豊橋技術科学大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (30324495)
Project Period (FY)	2023-04-01 – 2026-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2023)
Budget Amount *help	¥2,860,000 (Direct Cost: ¥2,200,000、Indirect Cost: ¥660,000) Fiscal Year 2025: ¥390,000 (Direct Cost: ¥300,000、Indirect Cost: ¥90,000) Fiscal Year 2024: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000) Fiscal Year 2023: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000)
Keywords	窒化物半導体 / 集積回路 / モノリシック集積 / 集積回路技術
Outline of Research at the Start	パワーエレクトロニクス応用だけでなく、高温、放射線環境など過酷環境において安定なデバイス動作を可能にする魅力的な物性を有するGaNなどの窒化物半導体のエレクトロニクス応用に向けた技術開発や実証実験を行う。シリコンで培われてきた集積回路技術の窒化物半導体ヘテロ構造に応用し、窒化物半導体の優位性を発揮したモノリシック集積回路による新しいエレクトロニクスを拓く技術の開発と実証を行う。本研究の成果は、これまで未開拓だった窒化物半導体集積回路によるハードエレクトロニクスの開拓や、これを応用した幅広い分野への応用を目指す。