Budget Amount *help |
¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000)
Fiscal Year 2025: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000)
Fiscal Year 2024: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000)
Fiscal Year 2023: ¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000)
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Outline of Research at the Start |
磁気信号の高感度検出に重要な「交換バイアス」(磁場に対して正負非対称な磁化反転を生じさせる見かけ上の磁場)の発現には、一般に強磁性/反強磁性の接合素子が必要である。これに対し、本研究ではMn3(Ge,Mn)Nにおいて、単一物質にも関わらず室温で交換バイアスを示すことを独自に見出した。これは、Mn3(Ge,Mn)Nにおいて、一般に極低温の現象として知られているスピングラス相(ミクロに強磁性と反強磁性の相互作用が混在した相)が室温以上まで安定化していることを示唆している。そこで本研究では、この物質のデバイス応用の可能性を探るべく、Mn3(Ge,Mn)N高品質薄膜作製を目的としている。
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