Proposal and demonstration of novel solar cells based on environmentally-friendly oxide semiconductors and deposition methods

Research Project

Project/Area Number	23K04386
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 26020:Inorganic materials and properties-related
Research Institution	National Institute of Technology, Toyama College
Principal Investigator	喜多正雄富山高等専門学校, その他部局等, 准教授 (00413758)
Project Period (FY)	2023-04-01 – 2026-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2023)
Budget Amount *help	¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000) Fiscal Year 2025: ¥780,000 (Direct Cost: ¥600,000、Indirect Cost: ¥180,000) Fiscal Year 2024: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000) Fiscal Year 2023: ¥2,210,000 (Direct Cost: ¥1,700,000、Indirect Cost: ¥510,000)
Keywords	酸化物半導体 / ナローバンドギャップ / スプレーCVD / 太陽電池
Outline of Research at the Start	大気中での化学的・熱的安定性が高い酸化物半導体の多くは，広いバンドギャップを有している．その中でバンドギャップが近赤外領域にありp型伝導を示す閃亜鉛鉱型関連構造のナローギャップ酸化物半導体Cu3VO4は単接合太陽電池の光吸収層に適した材料である．本研究課題では非真空プロセスで成膜ができるスプレーCVD法を用い，環境適合性の高い材料と成膜法で，p型にCu3VO4を用いた新規な太陽電池の基礎的知見を得ることを目的とする．