Project/Area Number |
23K04444
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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Allocation Type | Multi-year Fund |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 26050:Material processing and microstructure control-related
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Research Institution | Japan Fine Ceramics Center |
Principal Investigator |
石川 由加里 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 主幹研究員 (60416196)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
菅原 義弘 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 上級研究員 (70466291)
姚 永昭 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 主任研究員 (80523935)
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Project Period (FY) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2023)
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Budget Amount *help |
¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000)
Fiscal Year 2025: ¥650,000 (Direct Cost: ¥500,000、Indirect Cost: ¥150,000)
Fiscal Year 2024: ¥2,470,000 (Direct Cost: ¥1,900,000、Indirect Cost: ¥570,000)
Fiscal Year 2023: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000)
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Keywords | GaN / スクラッチ / 転位 / 多光子励起顕微鏡 / インデンテーション |
Outline of Research at the Start |
パワーデバイスに適したワイドバンドギャップ半導体(4H-SiC, GaN, Ga2O3, AlN, ダイヤモンド)は、化学的に安定かつ高硬度・脆性材料であるのでウエハ加工で生じた加工変質層の除去が難しく、デバイス性能の劣化、信頼性の低下を引き起こす。従来の加工変質層厚評価は極小面積に限られるため、実際の加工で必要な除去厚とは大きな乖離があった。本提案では、加工によって生じた表面変形サイズ(スクラッチ幅や深さ)と加工変質層厚(転位進展深さ)の比例性を証明した上で、比例性の発生メカニズムを解明する。これらの結果を基に科学的根拠に基づいた加工変質層厚の非破壊評価法を開発することを目的とする。
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