ヘテロ固体界面における原子層物質の成長

Research Project

Project/Area Number	23K04530
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 28030:Nanomaterials-related
Research Institution	Saitama University
Principal Investigator	LIM HONGEN 埼玉大学, 理工学研究科, 助教 (20794861)
Project Period (FY)	2023-04-01 – 2026-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2023)
Budget Amount *help	¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000) Fiscal Year 2025: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000) Fiscal Year 2024: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000) Fiscal Year 2023: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000)
Keywords	原子層物質 / 遷移金属ダイカルコゲナイド / 化学気相成長 / CVD
Outline of Research at the Start	原子層物質（原子1個-数個分の厚みを持つ極薄膜）は、基板上に成長させるのが一般的だが、この方法では表面に不純物が吸着するという課題があった。本研究では金薄膜とSiO2基板間への原子層物質の直接成長に着眼し、その閉じ込め空間に成長を支配される要因の解明、高品質な原子層物質の集積化に向けた結晶方位制御合成、そして電子デバイス応用に向けた基盤技術を構築することを目指す。