絶縁体基板上でのグラフェンナノメッシュの直接形成技術の開発と電子特性の解明

• Project/Area Number: 23K04536
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 28030:Nanomaterials-related
• Research Institution: Hiroshima University
• Principal Investigator: 鈴木 仁 広島大学, 先進理工系科学研究科(先), 准教授 (60359099)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 田中 秀吉 国立研究開発法人情報通信研究機構, 未来ICT研究所神戸フロンティア研究センター, 研究センター長 (40284608)
• Project Period (FY): 2023-04-01 – 2026-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2023)
• Budget Amount: ¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000); Fiscal Year 2025: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000); Fiscal Year 2024: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000); Fiscal Year 2023: ¥2,340,000 (Direct Cost: ¥1,800,000、Indirect Cost: ¥540,000)
• Keywords: グラフェンナノメッシュ / ボトムアップ

Outline of Research at the Start

電子デバイスへの応用が期待されているグラフェンナノメッシュにおいて，穴の配列や間隔などの構造を精密に制御する技術は未踏であり，その構造と電子特性の相関は実験的に解明されていない．本研究では，前駆体となる芳香族有機分子を触媒機能を有する加熱銅表面に接触させてラジカル化させ，それらを超高真空中の基板上でボトムアップ的に重合させることで，絶縁体基板上に精密に構造制御されたナノメッシュ構造を直接作製する技術を開発する．さらに形成されたナノメッシュ構造の解析とその本質的な電子特性を実験的に解明することをめざす．