Electron transport analysis at diamond-related interfaces for development of MOS devices

Research Project

Project/Area Number	23K04580
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 29020:Thin film/surface and interfacial physical properties-related
Research Institution	Kanazawa University
Principal Investigator	猪熊孝夫金沢大学, 電子情報通信学系, 教授 (50221784)
Project Period (FY)	2023-04-01 – 2026-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2023)
Budget Amount *help	¥3,120,000 (Direct Cost: ¥2,400,000、Indirect Cost: ¥720,000) Fiscal Year 2025: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000) Fiscal Year 2024: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000) Fiscal Year 2023: ¥650,000 (Direct Cost: ¥500,000、Indirect Cost: ¥150,000)
Keywords	ダイヤモンド / 界面 / 電子輸送
Outline of Research at the Start	本研究は，ダイヤモンドと金属または絶縁体との界面におけるキャリア輸送現象と原子レベルの微視的構造との相関を明らかにし，種々の界面欠陥構造が電気伝導特性に与える影響を明らかにすることを目的とする。そのために，「絶縁体/ダイヤモンド界面」および「金属/ダイヤモンド界面」をモデル化した量子輸送シミュレーションを行い，界面構造とキャリア輸送特性との相関を研究する。