大面積と高解像を両立した半導体結晶中の残留歪み定量評価手法の確立

Research Project

Project/Area Number	23K04600
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 30010:Crystal engineering-related
Research Institution	Kyoto Institute of Technology
Principal Investigator	福澤理行京都工芸繊維大学, 情報工学・人間科学系, 准教授 (60293990)
Project Period (FY)	2023-04-01 – 2026-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2023)
Budget Amount *help	¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000) Fiscal Year 2025: ¥780,000 (Direct Cost: ¥600,000、Indirect Cost: ¥180,000) Fiscal Year 2024: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000) Fiscal Year 2023: ¥2,990,000 (Direct Cost: ¥2,300,000、Indirect Cost: ¥690,000)
Keywords	残留歪み / 光弾性法 / 半導体結晶
Outline of Research at the Start	本研究の目的は、半導体結晶中の残留歪み・応力を大面積かつ高解像で完全定量評価することにある。残留歪み・応力は、電気的特性の局所劣化やデバイスの不良発生要因となるため、高解像定量評価が不可欠だが、これまでは、解像度と定量性とに優れたRamanやX線回折と、大面積評価が容易な光弾性法が棲み分けており、大面積・高解像・完全定量の全てを満たした評価手法は存在しなかった。本研究では、独自開発の高感度赤外偏光計に、歪み成分の分離解析と超解像化に関するソフトウェア手法を新たに組み合わせることで、SiCやGaN等の6インチ径大型基板の残留歪み評価を非細断・高解像・完全定量で実現する。