Study on the origin of "grains" with different dislocation distributions in lattice-mismatched epitaxial films

Research Project

Project/Area Number	23K04603
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 30010:Crystal engineering-related
Research Institution	University of Miyazaki
Principal Investigator	鈴木秀俊宮崎大学, 工学部, 准教授 (00387854)
Project Period (FY)	2023-04-01 – 2026-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2023)
Budget Amount *help	¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000) Fiscal Year 2025: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000) Fiscal Year 2024: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000) Fiscal Year 2023: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000)
Keywords	III-V族化合物半導体 / 希薄N化合物 / 原子層エピタキシー / 多接合型太陽電池
Outline of Research at the Start	格子不整合系太陽電池において、同一ウェハ上に作製したにもかかわらず特性にばらつきが存在する。特性が悪いセルでは、面内で転位の異方性が異なる「結晶粒」と、その境界となる「粒界」が存在することがわかっている。本研究では、(a)「粒界」が発生する層の同定、(b)「粒界」発生の起源の同定、(c)電気特性に影響を与えている領域(「結晶粒」「粒界」)の同定、の3点を目的とする。本研究により、格子不整合系太陽電池作製時の歩留まりが向上し、普及のためのコスト低減に大きく寄与する。また、他のIII-V族化合物半導体において格子整合に囚われない新しいデバイス開発にもつながるブレイクスルーとなる事が期待される。