GaN基板に対するスラリーフリーな高能率無歪一貫加工プロセスの開発

Research Project

Project/Area Number	23K13233
Research Category	Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Allocation Type	Multi-year Fund
Review Section	Basic Section 18020:Manufacturing and production engineering-related
Research Institution	Osaka University
Principal Investigator	孫栄硯大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (50963451)
Project Period (FY)	2023-04-01 – 2025-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2023)
Budget Amount *help	¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000) Fiscal Year 2024: ¥2,470,000 (Direct Cost: ¥1,900,000、Indirect Cost: ¥570,000) Fiscal Year 2023: ¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000)
Keywords	プラズマ援用研磨 / 窒化ガリウム（GaN）
Outline of Research at the Start	本研究では、固定砥粒を用いた高速ラッピングとプラズマ照射による表面改質を援用した高能率無歪研磨仕上げから構成される一貫製造プロセスを構築し、GaN基板に対するスラリーを用いない革新的な高能率無歪加工プロセスを実現するとともにその学理を探究する。PAPの平滑化メカニズムを解明するとともに、大面積プラズマを安定に発生させて、既存の研磨法を凌駕する研磨レートを実現する。さらに、研磨仕上げの前段階であるラッピング工程では、従来の遊離砥粒ラッピング法の代わりに固定砥粒ラッピング法を適用し、GaNウエハ製造プロセスの限界を打破する革新的な高能率かつダメージフリーな一貫製造プロセスを完成させる。