Research Project
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
半導体デバイスの作製工程では配線層を積み上げるために，配線形成後の基板表面を高精度に平坦化する必要がある．しかしながら表面には半導体・酸化膜・金属が混在するため各材料の除去速度が異なり既存技術では各材料領域の境目での段差や特定部分の過剰除去が発生し，デバイス性能・寿命の劣化原因となる．申請者はこれに対し純水と金属触媒を利用した超精密研磨技術を提案する．これまで半導体・酸化物材料に対して有効性を確認できている．本研究では金属表面を酸化する機構を加工系に導入し，金属の高能率エッチングを実現する．また，金属配線付き基板に対して本手法を適応し，段差・ダメージフリーの理想表面の作製を実証する．
