Research Project
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
スイッチング電源回路は小型・高効率化のために次世代半導体を用いた高周波化が進められている。一方で高周波では近接効果による電流の偏りが起こり,磁気デバイス損失が増加する傾向がある。この近接効果のメカニズムは複雑で予測が難しく,実用的な設計ツールとして高速な損失解析手法が求められている。本研究では磁気随伴エネルギーと磁界分布の関係性に着目した新しいアプローチを基に薄膜かつ並列接続された巻線へ適用可能な損失解析技術を開発する。提案手法はデバイス構造と損失の関係を直接的に理論式で表現でき,定量的な評価の簡略化や磁気デバイスの研究開発や損失発生メカニズムの解明に新たな視点を与えることが期待される。