Research Project
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)は，高い絶縁破壊電界や高い電子移動度のおかげで高耐圧かつ低損失なパワーデバイスや高周波増幅デバイスの材料として注目を集めている．デバイスの設計や試作デバイスの特性の理解のためには，キャリア輸送の理解が不可欠であるが，高電界におけるキャリア輸送に関する研究はその測定の難しさから不足しており，特にドリフト速度については測定報告が異種基板上のGaNに限られている．温度依存性やキャリア密度依存性，結晶方位依存性に関する報告は皆無である．そこで本研究では，高品質ホモエピタキシャル成長GaNの高電界ドリフト速度を詳細かつ系統的に調べることに取り組む．
