酸化ハフニウム基強誘電体のナノロッド化による分極方位制御と圧電特性向上

Research Project

Project/Area Number	23K13364
Research Category	Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Allocation Type	Multi-year Fund
Review Section	Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
Research Institution	Tokyo Institute of Technology
Principal Investigator	岡本一輝東京工業大学, 物質理工学院, 助教 (60965937)
Project Period (FY)	2023-04-01 – 2025-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2023)
Budget Amount *help	¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000) Fiscal Year 2024: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000) Fiscal Year 2023: ¥3,250,000 (Direct Cost: ¥2,500,000、Indirect Cost: ¥750,000)
Keywords	強誘電体 / ナノ構造 / 圧電体
Outline of Research at the Start	本研究の目的は一次元的なロッド形状をもつナノ構造であるナノロッド構造で特有な脱分極電界により酸化ハフニウム基強誘電体の圧電特性向上を実現することである。近年強誘電体材料として注目されている酸化ハフニウム基強誘電体の電気エネルギーと機械エネルギーを相互変換可能な圧電体材料としての可能性を開拓及び発展を目指す。酸化ハフニウム基強誘電体を用いてナノロッド構造を作製し、側面の不完全な電荷遮蔽がもたらす脱分極電界を通した材料特性制御手法の確立を目指す。