Research Project
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
窒化ガリウム(GaN)は、パワーおよび高周波デバイス応用に適したワイドギャップ半導体である。スイッチングデバイスとして、ノーマリオフと高電圧動作を両立できるGaN 金属-酸化膜-半導体(MOS)デバイスが期待されている。しかし、GaN MOS構造界面におけるキャリア散乱機構の理解は十分に進展していない。本研究では、異なる界面構造を有するGaN MOSデバイスの電気的評価および物理分析を通じ、移動度制限要因の理解を目指す。これにより、高性能GaN MOSデバイスの実現に貢献する。