グラフェン三次元構造体の合成技術の開発と次世代電子源の創製

• Project/Area Number: 23K13371
• Research Category: Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Review Section: Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
• Research Institution: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• Principal Investigator: 村田 博雅 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究員 (10909576)
• Project Period (FY): 2023-04-01 – 2026-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2023)
• Budget Amount: ¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000); Fiscal Year 2025: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000); Fiscal Year 2024: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000); Fiscal Year 2023: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000)
• Keywords: グラフェン / 結晶成長 / 電子源

Outline of Research at the Start

グラフェンをデバイス応用するためには、グラフェンの形状・配向性を制御する技術が重要となる。本研究では、研究代表者のグラフェン合成技術をベースとし、電子源製造における微細加工技術と融合することで、グラフェン三次元構造体の合成技術を開発する。また、合成したグラフェン三次元構造体をエミッタとする電子源を作製し、グラフェンエミッタの電子放出を実証するとともに、電子放出機構を解明することを目的としている。