半導体量子ドットの自在配列と機能創出

Research Project

Project/Area Number	23K13616
Research Category	Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Allocation Type	Multi-year Fund
Review Section	Basic Section 28010:Nanometer-scale chemistry-related
Research Institution	Institute of Physical and Chemical Research
Principal Investigator	榎本航之国立研究開発法人理化学研究所, 創発物性科学研究センター, 研究員 (50823556)
Project Period (FY)	2023-04-01 – 2025-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2023)
Budget Amount *help	¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000) Fiscal Year 2024: ¥1,950,000 (Direct Cost: ¥1,500,000、Indirect Cost: ¥450,000) Fiscal Year 2023: ¥2,730,000 (Direct Cost: ¥2,100,000、Indirect Cost: ¥630,000)
Keywords	コロイド半導体量子ドット / 超構造 / 配位子交換 / ミニバンド / ヘテロ構造
Outline of Research at the Start	成膜条件や雰囲気を厳密に制御することで、半導体量子ドット (CQD)の2次元超格子を作製する。脱配位子溶媒蒸気を利用することで、CQDの集合と表面配位子状態の制御を同時に行う。構造解析および分光分析により、CQD超格子の配列様式と光電物性の相関関係を調査する。さらに積層による3次元階層構造へと展開する。精密に配列制御されたCQD超格子を階層化することでエネルギー移動効率や電荷移動度に与える影響を系統的に調査する。得られた知見を元に、CQDのバンドギャップエネルギー特性を組み合わせることで、励起子・電荷の伝搬方向を意識したヘテロ接合構造を作製する。