半導体への放射線照射により発現する超特異現象の解明と宇宙用デバイスへの応用

Research Project

Project/Area Number	23K17746
Research Category	Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Allocation Type	Multi-year Fund
Review Section	Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
Research Institution	Toyohashi University of Technology
Principal Investigator	山根啓輔豊橋技術科学大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (80610815)
Project Period (FY)	2023-06-30 – 2026-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2023)
Budget Amount *help	¥6,110,000 (Direct Cost: ¥4,700,000、Indirect Cost: ¥1,410,000) Fiscal Year 2025: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000) Fiscal Year 2024: ¥2,210,000 (Direct Cost: ¥1,700,000、Indirect Cost: ¥510,000) Fiscal Year 2023: ¥2,340,000 (Direct Cost: ¥1,800,000、Indirect Cost: ¥540,000)
Keywords	化合物太陽電池 / 希薄窒化物結晶 / 点欠陥 / 第一原理計算
Outline of Research at the Start	あらゆる電子デバイスは、材料の内部に何らかの欠陥が入ることにより、経時性能劣化が生じる。例えば、宇宙環境で使われる太陽電池では、宇宙線（放射線）によって原子の抜け穴（空孔）が生じることで性能劣化が進む。これに対し、本研究では、材料中の結晶の結合状態を制御することで、あたかも欠陥を修復するような機能を備えたデバイスの実現に挑戦する。具体的には、空孔型欠陥と反応する原子の結合状態を解明し、制御する方法を研究する。