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水素吸脱着によるゲルマネンの物性変化を活用した熱スイッチ材料の創製

Research Project

Project/Area Number 23K17760
Research Category

Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

Allocation TypeMulti-year Fund
Review Section Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
Research InstitutionNagoya University

Principal Investigator

黒澤 昌志  名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (40715439)

Project Period (FY) 2023-06-30 – 2025-03-31
Project Status Granted (Fiscal Year 2023)
Budget Amount *help
¥6,370,000 (Direct Cost: ¥4,900,000、Indirect Cost: ¥1,470,000)
Fiscal Year 2024: ¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000)
Fiscal Year 2023: ¥4,290,000 (Direct Cost: ¥3,300,000、Indirect Cost: ¥990,000)
Keywordsゲルマニウム / ナノシート / ゲルマネン / 水素脱離 / 水素吸着 / 熱伝導率 / 14族半導体 / 熱スイッチ
Outline of Research at the Start

ゲルマネン(グラフェンのC原子をGe原子に置換した二次元結晶)は、水素吸脱着で電子やフォノンエネルギーバンド構造が著しく変化する革新的材料と予言されており、実測値に基づく議論が強く求められている。本研究では、研究代表者が世界をリードしている絶縁膜上への合成技術やボンドエンジニアリング技術(水素吸着基の熱脱離技術)を基盤とし、熱伝導率が桁違いに変化する熱スイッチ材料の創製に挑戦する。様々な水素吸着状態に対する熱力学安定性を吟味するとともに、可逆的な水素脱離・吸着の可能性を探究し、熱スイッチ素子の試作・検証を行う。

Outline of Annual Research Achievements

本年度は、Ge(111)基板上に合成した水素修飾ゲルマネン(GeH)ナノシートを用い、水素脱離する際の加熱条件と結晶構造の相関を調査した。昇温脱離ガス分析法からは、100℃以上に加熱すると水素脱離が生じ始め、300℃程度で水素脱離がほぼ完了することが明らかとなった。水素脱離前後の結晶構造解析をX線回折法により行い、GeHナノシートの層間距離が水素脱離過程で減少することを明らかにした。具体的には、300℃加熱後の層間距離は加熱前に比べ10%縮小した。以上、GeHナノシートの結晶構造を破壊することなく水素脱離が生じるプロセスを構築に成功した。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

水素修飾ゲルマネン(GeH)ナノシートの結晶構造を破壊することなく水素脱離する手法の確立に成功しており、おおむね順調に進展していると判断した。

Strategy for Future Research Activity

熱物性計測の装置導入を急ぐと共に、可逆的な水素脱離・吸着の可能性を探究する。加えて、絶縁膜上に転写したゲルマニウムナノシートの熱物性・電気物性評価を進め、熱スイッチ応用に適したデバイス構造設計を進める。

Report

(1 results)
  • 2023 Research-status Report
  • Research Products

    (5 results)

All 2024 2023

All Presentation (5 results) (of which Int'l Joint Research: 1 results,  Invited: 1 results)

  • [Presentation] 高抵抗Si(111)基板上へのCaSi2薄膜形成と低温熱電物性評価2024

    • Author(s)
      加藤高, 柴山茂久, 坂下満男 , 中塚理, 片瀬貴義, 黒澤昌志
    • Organizer
      第71回応用物理学会春季学術講演会
    • Related Report
      2023 Research-status Report
  • [Presentation] 真空中加熱によるGe(111)基板上GeH薄膜の層間距離変化2024

    • Author(s)
      松本一歩, 洗平昌晃, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志
    • Organizer
      第71回応用物理学会春季学術講演会
    • Related Report
      2023 Research-status Report
  • [Presentation] First-principles study on two-dimensional materials of silicon/germanium2023

    • Author(s)
      M. Araidai, M. Itoh, D. Ishihara, M. Kurosawa, A. Ohta, A. Yamakage, and K. Shiraishi
    • Organizer
      2023年日本表面真空学会学術講演会
    • Related Report
      2023 Research-status Report
  • [Presentation] 粉末シリカンとゲルマナンの電気的特性評価2023

    • Author(s)
      大西康介, 上田光秀, 山田繁, 伊藤貴司, 黒澤昌志
    • Organizer
      第10回 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター 東海地区学術講演会
    • Related Report
      2023 Research-status Report
  • [Presentation] A new challenge in group-IV materials: energy harvesting application & 2D crystal synthesizing2023

    • Author(s)
      M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka
    • Organizer
      14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • Related Report
      2023 Research-status Report
    • Int'l Joint Research / Invited

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Published: 2023-07-04   Modified: 2024-12-25  

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