Research Project
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
本研究では、二次元半導体の面内ヘテロ接合による高性能トンネルトランジスタの実現を目指す。申請者は、高濃度にキャリアドープした層状半導体の多層結晶による面内ヘテロ接合を作製し、接合界面におけるトンネル電流の実証に世界で初めて成功した。本研究では、ゲート電圧によるスイッチング動作の制御性に優れた単層膜に焦点を当て、高濃度ドープおよびヘテロ接合の作製を行い、面内ヘテロ型のトンネルFETの高性能化を目指す。これにより、将来の超低消費電力デバイスの実現に向けた研究基盤を構築する。
