形状磁気異方性を用いた磁壁構造制御によるスピン軌道トルク磁壁駆動の低消費電力化

Research Project

Project/Area Number	23K19199
Research Category	Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
Allocation Type	Multi-year Fund
Review Section	0402:Nano/micro science, applied condensed matter physics, applied physics and engineering, and related fields
Research Institution	Tokyo Institute of Technology
Principal Investigator	白倉孝典東京工業大学, 科学技術創成研究院, 特任助教 (60968808)
Project Period (FY)	2023-08-31 – 2025-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2023)
Budget Amount *help	¥2,860,000 (Direct Cost: ¥2,200,000、Indirect Cost: ¥660,000) Fiscal Year 2024: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000) Fiscal Year 2023: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000)
Keywords	スピントロニクス / 磁性細線メモリ / スピンホール効果 / スピン軌道トルク
Outline of Research at the Start	磁性細線を利用したレーストラックメモリは電流により磁区(ビット)を空間的に移動できるため、三次元NANDフラッシュメモリよりも1桁以上高い記録密度を実現できる。一方、レーストラックの課題の1つに、磁区の駆動電流が大きいことが挙げられる。この駆動電流の大きさは、磁壁と呼ばれる磁区間の磁化の空間構造に依存することが知られている。本研究では磁性細線の細線幅に由来する形状磁気異方性により磁壁構造を制御することで、磁区制御手法の一種であるスピン軌道トルクによる磁区駆動電流を低減するための手法を確立する。