Project/Area Number |
23K20927
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Multi-year Fund |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 21010:Power engineering-related
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Research Institution | University of Tsukuba |
Principal Investigator |
岩室 憲幸 筑波大学, 数理物質系, 教授 (50581203)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
原田 信介 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 副研究センター長 (20392649)
矢野 裕司 筑波大学, 数理物質系, 准教授 (40335485)
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Project Period (FY) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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Budget Amount *help |
¥3,770,000 (Direct Cost: ¥2,900,000、Indirect Cost: ¥870,000)
Fiscal Year 2024: ¥3,770,000 (Direct Cost: ¥2,900,000、Indirect Cost: ¥870,000)
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Keywords | SiC MOSFET / 高信頼性特性 / 負荷短絡 / 機械応力 / 残留ダメージ |
Outline of Research at the Start |
本研究は、インテリジェント機能(異常検知・保護機能)を有したSiC-MOSFETの長期信頼性実現に関する研究である。SiC-MOSFETが負荷短絡状態になると、半導体材料だけでなく、半導体以外の周辺部に大きなダメージが生じ、それにより長期信頼性の劣化が問題になることを2020年に突き止めた。本研究ではこれをさらに発展させ、SiC-MOSFET素子内の構成部材の違いによる線膨張係数差に起因した機械的応力と、負荷短絡状態で素子に印加される高電圧・大電流といった電気的負荷との相関性を、詳細なTCADシミュレーション技術と素子評価を通して解析する。そして高信頼性実現のための設計指針を明らかにする。
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