Project/Area Number |
23K20952
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Multi-year Fund |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
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Research Institution | Gifu University |
Principal Investigator |
久米 徹二 岐阜大学, 工学部, 教授 (30293541)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
福山 敦彦 宮崎大学, 工学部, 教授 (10264368)
鵜殿 治彦 茨城大学, 理工学研究科(工学野), 教授 (10282279)
大橋 史隆 岐阜大学, 工学部, 准教授 (20613087)
今井 基晴 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, NIMS特別研究員 (90354159)
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Project Period (FY) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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Budget Amount *help |
¥2,730,000 (Direct Cost: ¥2,100,000、Indirect Cost: ¥630,000)
Fiscal Year 2024: ¥2,730,000 (Direct Cost: ¥2,100,000、Indirect Cost: ¥630,000)
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Keywords | 半導体クラスレート |
Outline of Research at the Start |
本研究は、半導体として汎用されている結晶構造とは異なるシリコン(Si)やゲルマニウム(Ge)の材料である「IV族半導体クラスレート」を開発し、その特長である「可視光領域のエネルギー可変バンドギャップ」「直接遷移」「環境に優しいIV族材料」「高耐久性」を生かした新規半導体の創成と応用を目的としている。 これまでの取り組みにより我々は、世界に先駆けてSiおよびGeクラスレートの薄膜化に成功しているが、本課題ではそれをさらに進め、Si1-xGex混晶クラスレートの薄膜作製技術を確立し、その半導体としての性質を詳細に調べ、半導体材料としての将来性を見極める。
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