Project/Area Number |
23K20960
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Multi-year Fund |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
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Research Institution | The University of Tokushima |
Principal Investigator |
永瀬 雅夫 徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 教授 (20393762)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
影島 博之 島根大学, 学術研究院理工学系, 教授 (70374072)
大野 恭秀 徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 准教授 (90362623)
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Project Period (FY) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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Budget Amount *help |
¥2,210,000 (Direct Cost: ¥1,700,000、Indirect Cost: ¥510,000)
Fiscal Year 2024: ¥2,210,000 (Direct Cost: ¥1,700,000、Indirect Cost: ¥510,000)
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Keywords | グラフェン / テラヘルツ / SiC基板 / 積層接合 |
Outline of Research at the Start |
単結晶グラフェンを用いた高出力テラヘルツLEDの実現を目指す。SiC基板上にエピタキシャル成長した単結晶グラフェン同士を直接接合するこ とにより積層接合を形成する。接合部に一定以上の電圧を印加するこによりホット化されたキャリアをグラフェンに注入することによりプラズ モンを直接誘起することを目指す。誘起したプラズモンとグラフェンのフォノンをカップリングさせることによりテラヘルツ放射を実現する。
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