Project/Area Number |
23K20962
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Multi-year Fund |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
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Research Institution | National Institute for Materials Science |
Principal Investigator |
岩崎 拓哉 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 独立研究者 (50814274)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
早川 竜馬 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 主幹研究員 (90469768)
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Project Period (FY) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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Budget Amount *help |
¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000)
Fiscal Year 2024: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000)
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Keywords | グラフェン / 六方晶窒化ホウ素 / モアレ超格子 / 量子ドット / 単一電子輸送 |
Outline of Research at the Start |
二層グラフェンおよび六方晶窒化ホウ素(hBN)との積層によるモアレ超格子を基に、量子ポイントコンタクト、量子ドット型ゲート電極を有するデバイスを作製し、コンダクタンスの量子化やクーロンブロッケード特性、二重量子ドットにおける少数電子状態の観測を目標に研究を進める。昨年度、二層グラフェン/hBN積層ヘテロ構造のデュアルゲート型デバイスにおいてバンドギャップおよびバレー流の制御を実証した。また量子ポイントコンタクト、量子ドット構造素子の作製プロセスの最適化を進めた。今後は微細構造素子の低温電子輸送測定を行い、コンダクタンス量子化や電子閉じ込めの観測を目指す。
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