Project/Area Number |
23K21050
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Multi-year Fund |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 26050:Material processing and microstructure control-related
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Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
Principal Investigator |
曽根 正人 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 教授 (30323752)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
細田 秀樹 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 教授 (10251620)
チャン ツォーフーマーク 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 准教授 (10647069)
黒子 弘道 奈良女子大学, 工学系, 教授 (20221228)
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Project Period (FY) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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Budget Amount *help |
¥3,380,000 (Direct Cost: ¥2,600,000、Indirect Cost: ¥780,000)
Fiscal Year 2024: ¥3,380,000 (Direct Cost: ¥2,600,000、Indirect Cost: ¥780,000)
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Keywords | 電気化学反応 / 電気めっき / 超臨界流体 / 二酸化炭素 / 電析 |
Outline of Research at the Start |
本研究では、超臨界二酸化炭素と電解質溶液との乳濁状態を電気化学反応場とする超臨界ナノプレーティング(SNP)法を用いることにより、金属・無機・有機材料のナノ空間にナノメートルの無欠陥かつ均一な金属を被覆を実現するめっき金属成長制御の学理を構築することを目的とする。具体的には、超臨界電気化学反応用回転電極セルを創成することにより、電気化学及び流体工学的に反応解析し、その成果をもとに、金属成長機序を解明する。本研究により、新規超臨界電気化学反応用回転電極セルが作製され、電気化学反応の詳細が解明され、同時にナノレベルの金属被覆が実現した。
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