Project/Area Number |
23K21079
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Multi-year Fund |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 29020:Thin film/surface and interfacial physical properties-related
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Research Institution | Gifu University |
Principal Investigator |
久保 理 岐阜大学, 工学部, 教授 (70370301)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
田畑 博史 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (00462705)
新ヶ谷 義隆 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 主任研究員 (40354344)
片山 光浩 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (70185817)
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Project Period (FY) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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Budget Amount *help |
¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000)
Fiscal Year 2024: ¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000)
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Keywords | ゲルマナン / トランジスタ / 電気伝導 / マルチプローブ / トラップ |
Outline of Research at the Start |
グラフェンに代表される二次元層状物質(XY方向には強い結合を持つが、Z軸方向は弱い結合を持つ物質)は、トランジスタをはじめとした様々な電子デバイスの基礎材料として盛んに研究されている。しかし、グラフェンはトランジスタとして重要な「半導体」としての性質を持たず、その他の層状物質についても、トランジスタのオン・オフ速度に重要な移動度が、従来のトランジスタ材料であるシリコンに比べて低いものがほとんどである。本研究ではシリコンと同じ14族元素のゲルマニウム(Ge)の単原子層構造に着目して、これを用いた電界効果トランジスタを作製、特性評価することによって、その移動度の検証と向上を目指す。
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