Project/Area Number |
23K21083
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Multi-year Fund |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 30010:Crystal engineering-related
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Research Institution | Osaka Metropolitan University |
Principal Investigator |
重川 直輝 大阪公立大学, 大学院工学研究科, 教授 (60583698)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
嘉数 誠 佐賀大学, 理工学部, 教授 (50393731)
大野 裕 東北大学, 金属材料研究所, 特任研究員 (80243129)
梁 剣波 大阪公立大学, 大学院工学研究科, 准教授 (80757013)
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Project Period (FY) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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Budget Amount *help |
¥2,470,000 (Direct Cost: ¥1,900,000、Indirect Cost: ¥570,000)
Fiscal Year 2024: ¥2,470,000 (Direct Cost: ¥1,900,000、Indirect Cost: ¥570,000)
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Keywords | ダイヤモンド / シリコン / 接合界面 / 中間層 / 耐熱性 |
Outline of Research at the Start |
表面活性化接合により形成されるダイヤモンド/Si直接接合界面は両者の大きな熱膨張係数差にかかわらず1000℃の耐熱性を示す。熱処理時に形成される中間層が耐熱性実現の重要な役割を果たしていると予測される。本研究においては、高分解能電子顕微鏡観察、微小領域ラマン散乱測定、X線小角散乱などの先進的な評価手法を駆使し、界面のナノ構造、歪、通電時の自己発熱効果を測定する。界面の耐熱性や熱伝導特性において中間層が果たす役割を解明し、Si以外のIV族半導体との接合も含めて応用可能性を探索する。
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