Project/Area Number |
23K22540
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Multi-year Fund |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 16010:Astronomy-related
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Research Institution | Tokyo University of Science |
Principal Investigator |
幸村 孝由 東京理科大学, 創域理工学部先端物理学科, 教授 (20365505)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
萩野 浩一 東京大学, 大学院理学系研究科(理学部), 助教 (70762061)
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Project Period (FY) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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Budget Amount *help |
¥7,410,000 (Direct Cost: ¥5,700,000、Indirect Cost: ¥1,710,000)
Fiscal Year 2024: ¥7,410,000 (Direct Cost: ¥5,700,000、Indirect Cost: ¥1,710,000)
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Keywords | X線 / SOI |
Outline of Research at the Start |
本研究では以下の性能を有する新型の裏面のX線CMOSを開発する。 1. 1ピクセルサイズが10-30um四角、200umを超える厚い空乏層を持ち、1-30keVの広いX線のエネルギー帯域で高い検出効率を持つこと。 2. パイルアップを回避するために1msec以上の高い時間分解能を持つこと。 3. 高エネルギー宇宙線によるTotal Ionization Dozeによる分光性能の劣化を抑えること。 4. X線CCDと同程度のエネルギー分解能を持つこと。
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