Research Project
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
カーボンナノチューブはシリコンに代わる次世代の半導体として期待され、その潜在能力を生かすべく、原子レベルの構造と集合体としての配列の両面から制御が進められている。応用に要求されるレベルに到達させるには、従来の試行錯誤から脱却し、構造ごとに異なる成長過程を数理モデルに落とし込むことが有効となる。本研究では、個々のナノチューブの成長過程を効率的にその場観察する技術を活用してモデルを構築し、モデルに従い実際に使えるナノチューブの合成を行うという新たな制御戦略を提案する。