Research Project
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
最先端半導体デバイスの特性予測は、量子論に基づいた物理モデリングとシミュレーションが必須となっている。加えて、このような新構造では、 界面乱れやイオン化不純物の局所性(離散性)によって空間的にポテンシャルがゆらぎ、デバイス特性ばらつきが顕在化する。しかしながら、長波長極限に基づく従来手法では局所的な乱れを導入することができていない。そこで本研究では、微視的な運動論(ボルツマン輸送方程式)に基づくモンテカルロ法と量子論に基づく非平衡グリーン関数法の両方の理論フレームワークを再構築し、空間的に局在したポテンシャル乱れを導入する。そして、これらの理論に基づいたデバイスシミュレータを構築する。